
A | 8月25日消息,高盛8月24日发布的《中国半导体国产化进程持续推进》报告指出,中国先进芯片自主化正迎来关键拐点。 B | C | D | 2025年至2035年间,中国先进制程晶圆供给将以46%的年复合增长率扩张,远高于同期国内需求17%的增速。此外,车头下方配备了宽大的熏黑进气口,进一步增强了车头的运动感。 E | 尾部方面,新车配备了梯形的贯穿式尾灯,有着不错的视觉层次感。报告指出,中国芯片产量自给率在2026年6月已达约70%,较2010年1月的38%提升近一倍。车身尺寸,新车长宽高分别为4892/1925/1655mm,轴距2890mm。 F | 中芯国际是此次产能扩张的主力。高盛模型假设,2026年至2031年间,中芯国际每年将新增3万至5万片先进节点晶圆的月产能,之后至2035年每年再增加2万片。 G | 大规模扩产将带动新一波半导体投资。 H | 高盛预测,中国芯片资本支出在2020年代将维持两位数年度增长,2030年达820亿美元,较一年前的预测大幅上调79%。 I | 中国晶圆制造设备市场预计2027年达530亿美元,本土设备供应商市占率将从2025年的26%提高至2028年的38%。(文/ 周易)








J | 需要指出的是,良率是制约产能有效释放的关键瓶颈。

K | 高盛假设中芯国际先进制程良率将从2026年的23%提升至2030年的50%,2035年进一步升至75%。

L | 作为对比,台积电自2018年量产7纳米芯片以来,良率根据芯片设计和尺寸的不同已可超过90%。

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